一种光刻机套刻基准片的制作方法

本发明公开了一种光刻机套刻基准片的制作方法，标准片用于套刻基准光刻机的状态保存及恢复，以及其他光刻机同套刻基准光刻机的套刻匹配。首先在单晶Si片表面生长SiON介质薄膜，使用套刻基准光刻机完成第一层方形标记光刻机套刻校准图层的光刻，通过等离子体刻蚀将该图层转移到SiON介质薄膜上，将光刻胶去除并清洗，该结构可作为套刻基准片，保存基准光刻机的套刻状态。使用套刻基准片，在其他光刻机上完成第二次套刻图层的光刻，根据标准片上SiON图层和第二次光刻图层的相对位置关系，其他光刻机可以完成同基准光刻机套刻的校准，系统误差小于5nm。