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案件記録
晶硅光伏电池的低温硼扩散工艺参数预测方法
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§ Ⅰ
案件概要
発明者
郭小飞; 付少剑; 黄健; 戴欣欣; 张明明; 安欣睿
IPC分類
G06F 16/2458 (2019.01)H10P 74/00 (2026.01)H10F 71/00 (2025.01)G06F 16/22 (2019.01)G06F 18/243 (2023.01)G06F 18/2415 (2023.01)G06F 18/214 (2023.01)G06Q 30/0283 (2023.01)G06F 17/11 (2006.01)
本发明涉及晶硅光伏电池制造技术领域,尤其涉及晶硅光伏电池的低温硼扩散工艺参数预测方法,该方法包括以下步骤:S1、收集晶硅光伏电池低温硼扩散工艺的历史生产数据,所述历史生产数据包括工艺参数、设备运行参数及产品性能参数,并以硅片批次ID、设备编号及生产时间为三维唯一标识进行关联,形成结构化数据表;该晶硅光伏电池的低温硼扩散工艺参数预测方法,可输出满足目标产品性能且设备运行成本和材料损耗最低的最优工艺参数组合,提升光伏电池生产的经济性与稳定性,可有效解决了传统工艺参数确定方式重性能轻成本、全局最优解难获取及现有机器学习技术单一聚焦性能预测的技术问题。
外部リソース