用于SiC MOSFET的老化寿命预测方法及系统

本申请公开用于SiC MOSFET的老化寿命预测方法及系统，涉及碳化硅场效应管老化寿命预测技术领域，方法包括：获取每个实验点组合对应的初始寿命时间数据集合；利用响应面分析方法根据初始寿命时间数据集合构建响应面模型；对响应面模型进行残差分析，获取残差分析结果满足模型适配性以及假设条件符合性的合格寿命时间数据；基于老化影响因子之间的耦合效应，结合响应面模型构建老化寿命预测初始模型；以合格寿命时间数据对老化寿命预测初始模型进行训练，获取老化寿命预测模型；根据实时老化影响因子数据以及老化寿命预测模型输出SiC MOSFET的老化寿命预测结果。本申请的有益效果：同步实现了实验数据需求降低与老化寿命预测准确性提高。