三维结温预测方法、装置、电子设备及计算机存储介质

本发明涉及一种三维结温预测方法、装置、电子设备及计算机存储介质，属于功率电子器件热管理技术领域，其中，该三维结温预测方法包括：采集碳化硅芯片的基板温度和散热器温度，获取碳化硅芯片的功耗数据，并构建碳化硅芯片的电‑热‑力多场耦合的时变传热方程；基于基板温度和散热器温度结合预设的热灵敏度矩阵确定碳化硅芯片中的主导热流路径；基于功耗数据和时变传热方程构建碳化硅芯片的热阻热容热网络重构模型，并基于热阻热容热网络重构模型确定碳化硅芯片的三维结温，其中，热阻热容热网络重构模型中热阻热容节点的密度基于主导热流路径确定。本发明能够准确预测碳化硅芯片的三维结温。