一种基于瞬时功率的场效应管可靠性预测方法及系统

本发明提供一种基于瞬时功率的场效应管可靠性预测方法及系统，涉及MOSFET寿命预测技术领域，方法包括：通过传感器采集待预测场效应管的瞬时电压和瞬时电流；根据瞬时电压和瞬时电流，计算瞬时功率；基于瞬时功率，通过晶格玻尔兹曼法，计算内部瞬态温度分布；根据内部瞬态温度分布，计算缺陷生成率；结合缺陷生成率和非齐次泊松过程，确定待预测场效应管的空间缺陷分布；提取空间缺陷分布的分形结构特征，并计算待预测场效应管的分形维数；根据分形维数和临界缺陷密度，判断待预测场效应管是否形成从顶部到底部的导电路径；若是，判定待预测场效应管发生氧化层击穿；否则，继续监测；输出待预测场效应管的综合可靠性预测结果。