一种快速校准BDTI表面电势的方法及相关装置

本发明属于半导体器件仿真技术领域，特别涉及一种快速校准BDTI表面电势的方法及相关装置；方法包括：通过仿真软件搭建CIS BDTI器件结构；导入硅数据，并通过SIMS浓度的真实值作为参考，对器件结构中的离子分布曲线进行校准，得到浓度分布校准的器件仿真模型；将浓度分布校准的器件仿真模型的表面高介电常数层替换为电极层；将实际量测的器件的高介电常数层的电势导入电极层中，完成器件表面电势校准。本发明通过将表面高介电常数层直接替换为电极层，使得其电势可以直接被定为实际量测的高介电常数层的电势，避免多次采集，不断增加和调整正负电荷，以不断调整High K材质的电势值的过程，显著缩短了校准过程。