MOS管仿真电路及仿真方法

本发明提供了一种MOS管仿真电路及仿真方法，包括：MOS管、双极型晶体管、电压控制电流源和寄生电阻；电压控制电流源、寄生电阻串接在双极型晶体管的基极和集电极之间，MOS管的漏极端和衬底端分别连接MOS管的集电极和发射极，MOS管栅极接0.5V电压，源极端和双极型晶体管基极均接地，电压控制电流源的电流为I＝jrev*(exp(‑(‑VA+Bvrev)/(nrev*0.025)))，通过使MOS管仿真电路根据实测数据中的击穿电流进行拟合，得到拟合系数jrev、Bvrev、nrev及寄生电阻阻值。本发明能仿真MOS管仿真电路中的双极型晶体管集电极在高压偏置条件下的电流击穿特性，提高了仿真精度。