一种GAA与FinFET异构工艺PDK构建方法、装置及设备

本发明公开一种GAA与FinFET异构工艺PDK构建方法、装置及设备，涉及集成电路设计自动化技术领域，用于解决现有技术中三维PDK在跨工艺节点设计时存在的兼容性差、物理验证机制不灵活以及MIV寄生参数建模不精确的问题。包括：构建三维异构PDK集成框架；在三维异构PDK集成框架基础上，设置动态可配置的跨层物理验证机制，并引入全局控制变量；基于三维异构PDK集成框架以及所述跨层物理验证机制，针对三维集成中的关键互连结构，构建集总模型；并将集总模型集成至三维异构PDK集成框架中的三维寄生参数提取文件中。本发明提供的技术方案可以保证GAA与FinFET异构工艺协同设计中的兼容性、验证灵活性和模型精度，且具备良好的扩展性。