感存算一体化器件及其制备方法

本申请涉及一种感存算一体化器件及其制备方法，涉及神经形态计算技术领域。感存算一体化器件包括：依次层叠设置的衬底、铁磁层、忆阻层和顶电极，铁磁层具备垂直磁各向异性和反常霍尔效应，忆阻层具备忆阻效应和离子迁移能力，顶电极用于向忆阻层施加垂直电场，忆阻层用于在垂直电场的作用下发生离子迁移，并通过界面效应对铁磁层的磁性进行非易失性调制。通过本申请的一体化器件结构，可以将感知、计算和存储功能集成于单一异质结内，且通过非易失性的电学方法，可以实现对其核心计算单元进行在线可编程重构。