量子忆阻器系统、操作方法、量子计算系统及存储介质

本发明公开了一种量子忆阻器系统、操作方法、量子计算系统及存储介质，涉及量子计算技术领域；量子忆阻器系统包括离子囚禁模块、量子态初始模块、量子态调控模块和量子态读取模块，采用的囚禁离子基态具有超精细能级结构、超精细能级结构中第一能级和第二能级之间可形成钟态跃迁，写入操作为对囚禁离子施加微波脉冲将布居数从第一能级全部或部分转移到第二能级，在写入操作的同时或之后施加射频脉冲将第二能级的布居数全部或部分转移到第三能级实现状态混合与记忆；本发明采用囚禁离子的全基态能级构建量子忆阻器的能级操控架构，避免了激发态自发辐射引入的快速退相干，且对磁场噪声不敏感，稳定性好，记忆时间长。