返回搜索
档案
一种碳化硅外延生长实时缺陷检测方法
发明专利有效
10权利要求 · 1 独立
§ Ⅰ
卷宗概要
发明人
胡智威; 蔡长祐
IPC 分类
G06T 7/00 (2017.01)G06V 10/40 (2022.01)G06V 10/44 (2022.01)G06V 10/80 (2022.01)G06V 10/82 (2022.01)G06V 10/77 (2022.01)G06V 10/764 (2022.01)G06N 3/045 (2023.01)G06N 3/047 (2023.01)G06N 3/0464 (2023.01)G06N 3/0442 (2023.01)G06N 3/049 (2023.01)G06N 3/048 (2023.01)
本发明涉及碳化硅缺陷检测,公开了一种碳化硅外延生长实时缺陷检测方法,基于分层成像策略与三级维度注意力机制提高检测效率,采用分层成像策略进行全局初检,快速筛选无缺陷样本,规避无效精检;切换至高分辨率小视场成像采集局部图像,为后续检测提供针对性数据,提高检测效率;三级维度注意力机制,通过全局统计池化、局部峰值池化、时序趋势池化三个关联角度强化关键维度,结合维度互信息挖掘关联关系,经双分支权重融合生成维度注意力权重,抑制冗余、强化关键特征;结合图像预处理优化局部图像质量,在CNN‑LSTM混合模型中引入时序注意力以获取时空特征,通过轻量化分类器输出缺陷类别及置信度以提高实时缺陷检测效率。