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用于高带宽磁性计算的存储器低电压写入电路、方法及存储设备

발명유효
2조회수
10청구항 · 3 독립항
§ Ⅰ

개요

IPC 분류

G11C 11/16 (2006.01)

本申请公开一种用于高带宽磁性计算的存储器低电压写入电路、方法及存储设备。用于高带宽磁性计算的存储器低电压写入电路包括多个存储阵列、源线复用单元和阵列间缓冲级单元,阵列间缓冲级单元设置于相邻两个存储阵列之间;存储阵列根据控制信号产生预设低阈值范围内的写入电压;源线复用单元复用相邻两个存储阵列的源线和写入驱动单元;阵列间缓冲级单元根据上一级存储阵列的位线驱动信号和源线驱动信号,生成并输出下一级存储阵列的控制信号。本申请直接通过逻辑电压完成数据的写入,节省了传统写入电路中电平转换器的面积开销,并通过阵列间缓冲级设计解决了大阵列中寄生导致的驱动不足。