一种基于1FeFET-1C结构的非易失性计算存储阵列及寄生电容补偿方法

本发明公开了一种基于1FeFET‑1C结构的非易失性计算存储阵列及寄生电容补偿方法，以克服现有技术中模式依赖电容变化导致阵列输出线性度下降和感测裕度减小的问题，实现大规模CiM阵列性能的准确评估与优化。补偿方法包括：在TCAD平台建立包含GAA纳米线沟道及全包围铁电层的FeFET器件模型，在半导体与铁电层界面引入等效固定电荷以分别模拟低阈值LVT和高阈值HVT极化状态；在不同极化状态下，提取FeFET器件的栅‑源电容、栅‑漏寄生电容及位线、字线之间的互连耦合电容；将器件级寄生参数集成至包含1FeFET‑1C存储单元的阵列仿真模型中，以评估寄生特性对阵列输出电压线性度及感测裕度的影响。