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기록
一种基于SRAM的低功耗感知读写电路、芯片
발명유효
10청구항 · 2 독립항
§ Ⅰ
개요
발명자
蔺智挺; 葛君韬; 姜富贵; 段成龙; 龙淼; 杨洋; 吴秀龙; 刘玉; 李鑫; 戴成虎; 彭春雨
IPC 분류
G11C 11/413 (2006.01)G11C 7/10 (2006.01)
本发明公开了一种基于SRAM的低功耗感知读写电路、芯片,涉及静态随机存取存储器电路设计技术领域。本发明一种基于SRAM的低功耗感知读写电路,其一方面设计了数据预处理电路对数据以连续三位作为一组的方式进行预处理以得到相应的标注符号位,另一方面在存储阵列电路中增加了一列标志位存储单元用来存储标注符号位、并作用于开关单元来控制同行的后续3个数据位存储单元是否参与读写,从而在出现连续3个1或0时避免冗余读写、降低电路整体功耗。本发明解决了传统的SRAM存储阵列在人工智能与边缘计算硬件上存在较高功耗的问题。