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案件記録
一种用于SRAM存储器的冗余列切换控制电路
発明有効
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§ Ⅰ
案件概要
発明者
郭小星; 杨利; 王仕祯; 吴京; 王勇; 熊开利; 康晓飞; 邓静; 张佳佳
IPC分類
G11C 11/419 (2006.01)G11C 11/418 (2006.01)
本发明涉及一种用于SRAM存储器的冗余列切换控制电路,包括:冗余列切换地址译码模块,用于接收冗余列切换地址并输出译码信号参与冗余列的替换管理,其地址码型决定冗余列号;冗余列切换管理模块,用于产生写、读通路通断控制信号;写、读通路通断控制模块,用于控制写、读通路数据传输路径的通断;写、读通路模块,用于处理存储器写、读操作信号;存储阵列,用于数据存储。本发明可实现SRAM存储阵列内任意存储列的冗余替换,被冗余替换的存储列中的数据不会被改写,也不会被读出,能保持存储数据的正确性和完整性;同时可以实现读、写通路共用一套冗余列切换控制电路,解决了SRAM存储器存储阵列局部永久性物理损伤问题。
外部リソース