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半导体器件及其操作方法、系统、计算机可读存储介质
발명유효
1조회수
22청구항 · 4 독립항
§ Ⅰ
개요
발명자
王廷泽; 许锋; 关蕾; 王文栋; 朱桉熠; 靳磊; 霍宗亮; 胡曼; 刘红涛
IPC 분류
G11C 16/08 (2006.01)G11C 16/12 (2006.01)G11C 16/24 (2006.01)
本公开提供了一种半导体器件及其操作方法、系统、计算机可读存储介质,所述半导体器件包括存储阵列、与存储阵列耦接的外围电路,以及与存储阵列中的存储单元耦接的第一字线组和第二字线组;与第二字线组耦接的存储单元位于与第一字线组耦接的存储单元和与第一选择线耦接的选择晶体管之间;所述外围电路被配置为:在第一预充电阶段,对第一字线组中的字线施加第一电压,并对第二字线组中的字线施加第二电压;在第一预充电阶段之后的第二预充电阶段,对第一选择线施加导通电压,并按照从第一字线组到第二字线组的顺序依次对第一字线组中的字线和第二字线组中的字线施加第三电压;第一电压和第二电压均大于第三电压。