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기록

III-V族材料与硅基键合激光器系统及边摸抑制方法

발명유효
10청구항 · 2 독립항
§ Ⅰ

개요

발명자

王兴军; 王皓玉; 何燕冬

IPC 분류

H01S 5/065 (2006.01)H01S 5/125 (2006.01)H01S 5/10 (2021.01)H01S 5/30 (2006.01)

本发明提供一种III‑V族材料与硅基键合激光器系统及边摸抑制方法,系统包括III‑V族材料与硅基波导键合激光器,用于产生包含主模和边模的多模激光;布拉格光栅设置在III‑V族材料与硅基波导键合激光器的后端输出光路上,用于反射主模激光至激光器增益区进行二次放大,同时透射边模激光以抑制其反馈;微环谐振腔,设置在III‑V族材料与硅基波导键合激光器的前端输出光路上,对主模激光进行带通滤波,抑制残余边模;其中,微环谐振腔包含可调谐耦合结构,通过调整耦合系数以补偿工艺偏差,本发明提高了键合激光器系统主模的输出功率,同时再次经过微环滤波,提高边模抑制比,且通过可调谐耦合结构可以补偿工艺偏差,提高系统性能。