一种半导体激光器及其制备方法

本发明提供一种半导体激光器及其制备方法，涉及半导体激光器技术领域，包括外延片，所述外延片的P型限制层中具有脊波导和周期性光栅结构，所述周期性光栅结构分布在所述脊波导的两侧；所述周期性光栅结构包括平行设置的多条脊条和位于相邻所述脊条之间的刻槽，所述脊条沿所述外延片的长度均匀排列，并平行于所述脊波导；本发明通过在半导体激光器的P型限制层中脊波导的两侧设置周期性光栅结构，并且周期性光栅结构具有多条脊条和刻槽，不仅有效调控了半导体激光器的高阶侧向模式，而且周期性光栅结构的结构简单，降低了光刻工艺的复杂程度和半导体激光器的制备难度。