一种高速通信垂直腔面发射激光器及制备方法

本申请涉及半导体激光器的技术领域，尤其是涉及一种高速通信垂直腔面发射激光器及制备方法，包括衬底，衬底上设有外延结构，外延结构包括有源区，有源区上设有过渡DBR层，过渡DBR层中心设有隧道结，隧道结包括P型高浓度C掺杂层以及N型高浓度Te掺杂层，过渡DBR层上设有顶部DBR层。隧道结作用是代替传统的氧化性VCSEL的氧化层，用于提供电流限制和光学限制。传统氧化层通过氧化AlGaAs控制氧化深度来实现氧化口径的电流和光学限制，用隧道结结构代替还可以规避有Al界面氧化，能够防止缺陷进一步生长问题。通过隧道结限制结构来取代氧化层，可以实现更高的发射均匀性和更高重复性地制造，能够精确定义氧化口径的大小，控制模式的稳定性。