直接泵浦发光层的高效率激光芯片及激光器

本发明属于激光技术领域，具体公开了直接泵浦发光层的高效率激光芯片及激光器，激光芯片包括依次设置的衬底层、集成宽带反射镜、集成有源区、窗口层和保护层；集成宽带集成有源区包括多个有源组，每个有源组包括间隔层和发光层，间隔层和发光层交替设置；发光层吸收泵浦光的光子能量后，发光层的材料价带顶部的载流子被激发到发光层的材料子能级，之后弛豫到发光层的材料导带底部，在发光层中产生受激辐射跃迁。本发明可以直接泵浦有源区的发光层，使激光芯片所需的泵浦光源的波长与激光波长接近，从而极大地提高芯片的光‑光转化效率，降低激光产生过程中的量子亏损，亦即降低激光芯片中的废热量，缓解激光器的热效应，提高激光器的输出功率。