一种高功率低发散角近红外半导体激光器制备方法

一种高功率低发散角近红外半导体激光器制备方法，属于半导体激光器技术领域，尤其涉及一种高功率低发散角近红外波段的半导体激光器；解决了现有技术所存在的因制备工艺局限，难以在单一器件上同时实现高输出功率、低发散角光束输出并有效抑制腔面灾变性光学损伤（COD），从而制约激光器性能与可靠性的问题；所述方法包括形成外延片、淀积二氧化硅薄膜定义功能区等步骤。所述的一种高功率低发散角近红外半导体激光器制备方法，适用于在光纤激光器泵浦源、激光雷达、空间光通信以及激光加工等领域，对制备高亮度、高可靠性、小型化近红外半导体激光器芯片具有重要价值。