一种铁电薄膜/GaN基红光激光器及其制备方法和应用

本发明属于光电子制造、新材料技术领域，公开了一种铁电薄膜/GaN基红光激光器及其制备方法和应用，所述红光激光器包括由下至上依次相连接设置的衬底、缓冲层、下限制层、下波导层、有源层、上波导层、上限制层、下ITO层、铁电薄膜层和上ITO层，铁电薄膜层能够提供铁电极化，ITO层能够极化铁电薄膜。本发明采用铁电薄膜与GaN基激光器芯片集成，实现高质量红光发光，避开了材料生长难点。本发明采用的铁电薄膜与GaN基激光器集成，利用铁电薄膜的极化效应，直接将外延技术较为成熟的非红光激光器（λ为570~600nm）转变为红光激光器（＞620nm），以解决现有的方法难以获得高质量红光发射的GaN基激光器的问题。