基于级联双向氮化镓的电路系统

本发明实施例公开了一种基于级联双向氮化镓的电路系统，应用于集成电路制造及生产专用光刻机、刻蚀机等半导体器件专用设备制造领域。电路系统中包括串联连接的第一场效应管、双向氮化镓器件及第二场效应管，连接双向氮化镓器件的衬底电极与各个场效应管的源极之间的衬底选择开关，用于驱动各个衬底选择开关的负压栅驱网络，及用于钳位或保持各个衬底选择开关一端电压的钳位保持网络，以抑制在电压变化率（即dv/dt）下因器件本体电容充电导致的“自触发”，避免两个衬底选择开关同时导通而形成直通。特别适用于战略性新兴产业中高性能集成电路与半导体专用设备制造的需求。