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기록
一种基于电阻电容交流耦合偏置的负电阻及其应用
발명유효
8청구항 · 2 독립항
§ Ⅰ
개요
발명자
谭志超; 赵祎宁; 陆召南
IPC 분류
H03K 19/0185 (2006.01)H03K 19/00 (2006.01)H03K 19/003 (2006.01)
本发明公开了一种基于电阻电容交流耦合偏置的负电阻,负电阻通过MOS管交叉耦合连接构成,其利用电阻电容交流耦合偏置的方式将偏置电压与实际输入电压隔离,显著提升偏置精度与稳定性,进而增强负电阻整体性能并抑制失配效应。此外,由于不需要源极退化而直接进行负电阻工作,本发明负电阻的功耗得到了很大改善,以实现很高的能效,显著优于传统结构。