存储器电路系统及用于形成存储器电路系统的方法

本申请案涉及存储器电路系统及用于形成存储器电路系统的方法。存储器电路系统包括绝缘材料及存储器单元的竖直交替层级。存储器单元个别地包括晶体管，晶体管具有水平介于第一与第二源极/漏极区之间的沟道区及操作性地接近沟道区的栅极。存储器单元包括电容器，电容器包括第一电容器电极、第二电容器电极，及介于第一与第二电容器电极之间的电容器绝缘体。第一电容器电极直接电耦合到第一源极/漏极区。多个电容器的第二电容器电极彼此直接电耦合。数字线延伸穿过竖直交替层级。位于不同存储器单元层级中的晶体管中的个别者的第二源极/漏极区中的个别者直接电耦合到数字线中的个别者。第二源极/漏极区个别地包括导电掺杂SiGe，其中x是0到0.97。公开方法。