存储器件和制造存储器单元的方法

存储器件包括沟道层。该存储器件包括位于沟道层的第一侧上的栅极结构，其中栅极结构具有面向沟道层的顶表面。该存储器件包括位于沟道层的与第一侧相对的第二侧上的漏极结构，其中漏极结构具有与沟道层接触的第一底表面。第一底表面在第一横向方向上与栅极结构的顶表面欠重叠。存储器件包括位于沟道层的第二侧上并且沿第一横向方向与漏极结构相邻的源极结构，其中源极结构具有面向沟道层的第二底表面。第二底表面在第一横向方向上与栅极结构的顶表面重叠。本公开的实施例还提供了制造存储器单元的方法。