存储器器件、以及制造存储器单元的方法

一种存储器器件包括沟道层。存储器器件包括栅极结构，位于沟道层第一侧上，其中，栅极结构具有面向沟道层的顶面。存储器器件包括漏极结构，位于沟道层的与第一侧相对的第二侧上，其中，漏极结构具有面向沟道层的第一底面。存储器器件包括源极结构，位于沟道层的第二侧上，并且沿着横向方向与漏极结构相邻，其中，源极结构具有面向沟道层的第二底面。存储器器件包括从沟道层凸出的第一沟道基座和第二沟道基座。本申请实施例还涉及一种制造存储器单元的方法。