存储器及其形成方法

一种存储器，包含基板和位于基板上方的电容器结构。电容器结构包含底部电极、位于底部电极上方的介电结构和位于介电结构上方的顶部电极。介电结构包含由氧化铪锆（HZO）所制成的第一介电层、位于第一介电层上方，且由氧化铝所制成的阻挡层，以及位于阻挡层上方，且由氧化铪锆所制成的第二介电层，其中第一介电层和第二介电层的其中一者包含第一部分和第二部分，第一部分相邻于阻挡层，并且其中第一部分掺杂硅。具有上述结构的存储器能够实现更高的电容。