半导体器件

本发明公开了半导体器件，包括衬底、栅极结构、多个绝缘间隔、多个第一焊盘、绝缘层、以及高介电常数材料层。绝缘间隔与栅极结构交替地设置在衬底上。第一焊盘设置在绝缘间隔上。绝缘层覆盖在绝缘间隔与栅极结构上，其中，覆盖在栅极结构上的绝缘层具有凹陷。高介电常数材料层设置在凹陷内，且高介电常数材料层的最底面低于第一焊盘的最顶面。如此，借助高介电常数材料层及/或绝缘层的设置改善栅极结构顶部的结构缺陷，避免其与上方设置的金属互连线之间衍生可能的短路问题。