一种发光晶体管

本发明涉及场效应发光晶体管技术，具体涉及一种发光晶体管，包括衬底、栅极、栅介质层、浮栅层、隧穿介质层、沟道层、源电极、发光功能层和漏电极。与传统发光晶体管相比，本发明通过引入浮栅层和隧穿介质层实现电荷存储功能。在将发光晶体管应用于像素电路时可以简化电路结构，节省一个晶体管和存储电容元件，有效提高了像素的发光面积，进一步提升了像素的集成度和开口率，为高分辨率显示和柔性电子集成提供了全新的解决方案，具有广泛的应用前景。