存储器件及其制备方法

本公开提供了一种存储器件及其制备方法，涉及半导体芯片技术领域，旨在提高存储器件的存储密度。该存储器件包括：第一堆叠结构、第二堆叠结构和多个连接结构。第一堆叠结构包括沿第一方向交替层叠设置的多个第一栅极层和多个第一介质层。第二堆叠结构包括沿第一方向交替层叠设置的多个第二栅极层和多个第二介质层。连接结构包括：连接柱、至少一个第一连接层和至少一个第二连接层，一个第一连接层连接连接柱和一个第一栅极层；一个第二连接层连接连接柱和一个第二栅极层。在平行于第二方向的参考面上，至少两个连接结构的连接柱的尺寸不同。上述存储器件中，一个第一栅极层和一个第二栅极层共用一个连接结构，有利于提高存储器件的存储密度。