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案件記録
存储单元、存内计算阵列、存内差分计算电路
発明有効
10請求項 · 3 独立
§ Ⅰ
案件概要
発明者
金健孜; 鲁辞莽
IPC分類
H10B 41/35 (2023.01)H10B 41/41 (2023.01)G11C 16/08 (2006.01)G11C 16/24 (2006.01)
本申请提供一种存储单元、存内计算阵列、存内差分计算电路,该存储单元包括:由两个双向对称分布的分栅NOR Flash单元组成的对称位线胞,两个分栅NOR Flash单元共享选择栅,可以提升存储单元的线性度。在基于该存储单元的存储阵列中集成填充阵列形成的存内计算阵列,通过填充阵列可以使每个位线的总电导调整至全局统一值,从而有效提升存储单元的线性度,提升存储计算乘积累加运算的精度。
外部リソース