半导体器件及其制造方法、电子设备

本申请提供了一种半导体器件及其制造方法、电子设备。该半导体器件，包括：衬底、第一电容结构、第二电容结构和导电柱组件。第一电容结构和第二电容结构分别设置于衬底两面，第一电容结构和第二电容结构均至少部分埋入于衬底内。导电柱组件贯穿衬底，两端分别与第一电容结构、第二电容结构电连接，使得第一电容结构与第二电容结构并联。本申请实施例可有效提高半导体器件的性能。