一种自旋轨道矩磁存储器及其制备方法

本发明公开了一种自旋轨道矩磁存储器及其制备方法，属于自旋电子器件与半导体制备技术领域。该存储器包括：第一电极、自旋轨道矩层、磁隧道结(MTJ)以及位于自旋轨道矩层下方的导电互连结构。本发明在导电互连结构中集成磁性偏置结构并调整MTJ位置，使其在MTJ自由层处形成补偿场，用于抵消由MTJ中除自由层外的磁性层产生的杂散场、层间耦合场和写入电流奥斯特场引起的偏置场。本发明无需在MTJ膜堆中引入额外层堆，也无需外部磁场，通过调节磁性偏置结构的几何参数及MTJ的位置，即可实现写入电流对称化及无场确定性翻转，提高写入能效与数据保持性能。本发明与半导体后端互连工艺兼容，且在器件尺寸微缩下仍保持优异性能。