一种忆阻器及其制备方法

本发明涉及电子器件技术领域，特别是涉及一种忆阻器及其制备方法，忆阻器包括依次层叠设置的下电极、阻变介质层和上电极，下电极和上电极均包括单层或多层金属薄膜，阻变介质层为Fe掺杂TiO基磁性半导体薄膜；所述Fe掺杂TiO基磁性半导体薄膜中Fe原子的浓度为0.5~5at%。本发明通过将高铁磁性的Fe掺杂TiO基薄膜作为阻变介质层，将磁性特性与电阻变化过程的耦合，使忆阻器既具备典型的电阻转变特性，又可实现磁场可调的电阻转变行为，兼具高稳定性、低功耗及多场调控能力，其制备方法简单易行，且与CMOS工艺高度兼容，可有效满足微缩制造和器件集成需求。