一种基于电镀铜柱体的三维堆叠DRAM封装结构

本发明属于芯片封装技术领域，具体为一种基于电镀铜柱体的三维堆叠DRAM封装结构。本发明封装结构具体包括底层逻辑芯片、顶层DRAM芯片、第二层DRAM芯片、垂直铜柱互联区域、底层封装体、顶层封装体、第二层封装体、平面互联区域、信号纵向传输路径、C4凸块阵列、微凸块阵列；底层封装体将底层逻辑芯片以及该层的垂直铜柱体、平面金属线互联层塑封在一起，顶层封装体、第二层封装体的作用与底层封装体类似；本发明通过在封装阶段电镀制造的片外铜柱体取代TSV，实现芯片的纵向互联，进而实现具有较低成本，同时具有高可靠性的DRAM三维集成；同时降低了存储器芯片的设计难度，提升系统存储容量，进而提升系统的整体性能。