共振隧穿二极管及其制备方法

本公开提供了一种共振隧穿二极管，可应用于半导体技术领域。该共振隧穿二极管包括：衬底；缓冲层，位于衬底上；第一台面结构，位于缓冲层远离衬底的一侧；以及第二台面结构，位于缓冲层远离衬底的一侧，其中，衬底的材料包括砷化镓；第二台面结构的材料包括砷化铟和锑化铝；以及第一台面结构与第二台面结构间隔设置。通过该结构设置器件的峰谷电流比得到提高，器件的耗尽区时间延迟有效缩短。本公开的实施例还提供了一种共振隧穿二极管的制备方法。