基于锗上外延生长石墨烯技术的硅/石墨烯/锗势垒晶体管阵列及构筑方法

本发明涉及半导体器件的研发与应用领域，具体为一种基于锗上外延生长石墨烯技术的硅/石墨烯/锗势垒晶体管阵列及构筑方法。该晶体管自上而下的构成如下：第一层包括基极与硅薄膜组合结构，第二层为发射极与外延生长的单晶单层石墨烯，第三层为锗衬底，第四层为集电极；其中，基极底部通过硅薄膜与石墨烯连接，石墨烯为采用化学气相沉积在锗衬底表面生长的一层单晶石墨烯；基极、发射极和集电极均为金属电极，金属电极为钛/金的叠层复合结构。在本发明中，通过分别构筑石墨烯与锗、石墨烯与硅的肖特基异质结，利用两异质结不同的势垒高度，实现了高达4×10的共射极电流增益、2×10的功率增益，和理论上具备THz特征频率的原型器件。