一种沟槽型功率器件集成栅极电阻的结构及制造方法

本发明公开了一种沟槽型功率器件集成栅极电阻的结构及制造方法，属于半导体器件加工技术领域，有源区结构制备过程包括：在晶圆上沉积硬掩模；进行沟槽光刻使得沟槽光刻图案中，集成电阻区沟槽宽度的线宽小于有源区沟槽宽度的线宽；去除沟槽光刻图案区域的硬掩模和其余区域光刻胶；对沟槽光刻图案区域刻蚀；在沟槽内形成牺牲氧化层再去除硬掩模和牺牲氧化层；形成栅氧后沉积多晶硅；进行多晶硅回刻；进行P阱及N‑Source离子注入和推阱；沉积介质层后进行接触孔光刻和刻蚀；沉积金属层并进行金属电极光刻刻蚀以完成正面加工；进行钝化层及背面加工处理。本发明集成栅电阻可通过调整集成电阻区沟槽宽度实现，不需多晶层光刻，工艺兼容性好。