横向扩散金属氧化物半导体场效应管及其制造方法

本发明涉及一种横向扩散金属氧化物半导体场效应管及其制造方法，所述方法包括：在晶圆的第一主面形成硬掩膜；进行有源区光刻和刻蚀，在需要形成场氧层的位置去除所述硬掩膜；形成所述场氧层；在所述第一主面形成图案化的光刻胶层，覆盖在不需要形成漂移区的位置上方；以所述光刻胶层为注入阻挡层，进行漂移区注入，漂移区注入的注入离子穿过所述硬掩膜和场氧层进入晶圆中。本发明在漂移区注入时，利用硬掩膜对场氧层边缘处的注入离子进行阻挡，从而避免此处的PN结结深过深和离子掺杂浓度过高，能够实现此处JFET区域的注入离子快速耗尽，进而降低此处的电场强度，优化提高器件耐压和可靠性。