FinFET器件及其外延源漏极的制备方法

本发明提供一种FinFET器件及其外延源漏极的制备方法，采用由沉积步骤及刻蚀步骤构成的循环执行若干次至所需厚度，每个循环中的沉积步骤先选择性外延沉积预设厚度的磷掺杂的第二硅外延层，然后在该循环的刻蚀步骤中对该循环沉积的预设厚度的磷掺杂的第二硅外延层的轮廓进行修整，刻蚀步骤中不但通入含氯刻蚀气体，同时通入硅反应气体及砷掺杂气体，当掺砷的硅材料层被完全刻蚀甚至磷掺杂的第二硅外延层被部分刻蚀，剩余的磷掺杂的第二硅外延层的轮廓得到有效修整，达到抑制磷掺杂的第二硅外延层横向生长的效果，此后经过若干个该循环磷掺杂的第二硅外延层的横向生长得到有效抑制且轮廓呈类钻石状，从而有效降低相邻鳍之间源漏极连接的风险。