超结半导体结构及其制备方法

本发明提供一种超结半导体结构及其制备方法。超结半导体结构包括：衬底层；位于衬底层上层叠设置的漂移层和电流扩展层，漂移层中具有若干个间隔设置的掺杂柱，衬底层上包括元胞区和包围元胞区的终端区；位于元胞区的掺杂柱自漂移层靠近衬底层的一侧表面延伸至远离衬底层的一侧表面，位于终端区的掺杂柱自漂移层靠近衬底层的一侧表面延伸至漂移层的内部；掺杂柱与周围的漂移层构成超结结构；第一缓冲层，位于终端区的超结结构远离衬底层的一侧表面；电流扩展层中具有位于终端区的终端结构，终端结构的底部与第一缓冲层表面接触，且终端结构在衬底层表面的正投影位于第一缓冲层在衬底层表面的正投影内。