P型栅氮化镓功率器件及其制备方法

本申请公开了一种P型栅氮化镓功率器件及其制备方法，所述制备方法包括：提供半导体器件的基底，基底至少包括势垒层；在势垒层上形成第一介质层，第一介质层上设有第一开窗；在第一开窗内生长P型层；在P型层上形成栅极。P型层在形成的过程中，通过势垒层上形成第一介质层，第一介质层上设有第一开窗，在第一开窗内直接形成P型层，避免在接入区内的势垒层表面生长P型层再进行蚀刻操作，有效减少传统P型栅氮化镓功率器件制造过程中，P型层生长与蚀刻在接入区势垒层表面引入的缺陷态，提高P型栅氮化镓功率器件的生产良品率，保证P型栅氮化镓功率器件的性能和工作稳定性。