减少非器件边缘区域的高迁移率场效应晶体管及制备方法

本发明属于微电子技术领域，具体涉及减少非器件边缘区域的高迁移率场效应晶体管及制备方法。将高迁移率半导体材料转移到基底上，得到高迁移率半导体材料/基底；将高迁移率半导体材料/基底在掩模版定义沟道的修饰下，蒸镀金属电极；采用等离子体增强化学气相沉积工艺，在高迁移率半导体材料/基底上方沉积第一阻隔膜，实现基底边缘、侧面及晶体管边缘的三维覆盖；将沉积阻隔膜后的器件进行电连接设计，并补充阻隔膜。本发明通过缩短器件边缘与基底边缘距离，将非器件区域占比降至5%以下；通过封装，器件在常规环境下电学性能衰减小；背面电连接结构缩小器件尺寸20%‑30%，且工艺步骤简单、效率高。