一种屏蔽栅沟槽型MOSFET器件及其制造方法

一种屏蔽栅沟槽型MOSFET器件及其制造方法，本发明涉及于功率半导体器件，本发明提供的技术方案通过工艺优化擦用填充层在改善极间隔离氧化层空洞结构的同时不改变栅氧的膜层质量而降低其可靠性及电容性能，并且可以利用氮化硅其临界击穿电场强度高于二氧化硅，增加第二层场氧介质氮化层厚度在总的场氧厚度的占比，从而做到减少总场氧厚度但不降低器件的临界击穿电压，缩小器件尺寸提升器件性能。