薄膜晶体管的制备方法、薄膜晶体管及显示面板

本发明提供了一种薄膜晶体管的制备方法、薄膜晶体管及显示面板，制备方法包括在衬底上制备有源层、栅极绝缘层以及栅极，有源层包括沟道区以及分别位于沟道区两侧的源极区、漏极区；对源极区和漏极区进行低剂量离子注入；其中，低剂量离子注入的剂量优选范围为6E11/cm~5E14/cm；对栅极绝缘层进行过孔刻蚀，并暴露出至少部分源极区和至少部分漏极区；在暴露出的源极区和漏极区上制备金属走线层；利用还原性气体对金属走线层进行等离子体处理。通过低注入剂量导体化，并配合对金属走线层进行等离子体处理使其与源极区、漏极区形成欧姆接触，降低了源漏区与沟道区的载流子浓度梯度，减少载流子向沟道区扩散，从而保证沟道的有效长度。