一种一体化结构SiC MOSFET栅极的制备工艺

本发明公开了一种一体化结构SiC MOSFET栅极的制备工艺，采用金属颗粒与有机胶黏液均匀混合，形成悬浊液；通过旋涂技术将悬浊液涂覆于SiC MOSFET的SiO介电层上表面，形成完全覆盖的薄膜基底；基于单向化学气相沉积工艺，促使薄膜基底表面的有机胶黏液经金属颗粒催化石墨化形成栅极导电层；经过单向化学气相沉积工艺使得栅极导电层中的金属与石墨烯热扩散进入SiO介电层体相内部，并与SiO介电层发生界面反应，在SiO介电层表面形成栅极过渡层最终形成一体化结构的后栅。本发明可提高SiC MOSFET栅极的机械稳定性、导电性、漏电流控制效果和抗电磁干扰能力。