一种氮化镓器件及其制备方法

本发明公开了一种氮化镓器件及其制备方法，涉及半导体材料技术领域。包括选用半绝缘碳化硅衬底，表面粗糙度Ra<0.3nm，通过过渡层培生方法生成过渡层；生成氮化铝层和厚缓冲层，最后生成未掺杂GaN层；生成Al GaN势垒层，再通过GaN帽层制备方法，形成GaN帽层，保护A l GaN势垒层表面免受氧化；再通过侧壁钝化方法进行侧壁钝化，避免侧壁氧化；源/漏极与栅极制作；通过多层钝化方法形成复合钝化层；金属剥离与电极形成，采用共晶焊料键合并插入软金属层缓解应力；最后封装。本发明通过碳化硅衬底与外延层之间的多层结构实现近乎完美的晶格匹配，可消除外延层中的残余热应力，显著减少位错和裂纹的产生，提高氮化镓器件的性能和可靠性。