一种氮化镓器件以及方法

本申请涉及半导体技术领域，提供一种氮化镓器件以及方法，其中氮化镓器件包括：二维电子气层组，用于形成二维电子气；第一氮化镓层，设置于二维电子气层组上；渐变层组，设置于第一氮化镓层上；栅极金属层，设置于渐变层组上。通过渐变层组在金属层与第一氮化镓层之间的能带形成能带势垒，增强对空穴的阻挡能力。当栅极施加正偏压时，渐变层组的能带势垒可以抑制空穴从栅极向二维电子气注入，并且，势垒高度沿远离二维电子气的方向先增加后减小，渐变的势垒高度能够在内部形成对应的电场进一步抑制空穴的注入，也同时抑制电子从二维电子气向栅极的注入，从而降低栅极漏电流和减小阈值电压漂移，增强栅极的耐压能力和鲁棒性。