氮化镓基半导体器件及二维电子气的调节方法

本发明公开了一种氮化镓基半导体器件及二维电子气的调节方法。氮化镓基半导体器件包括：具有异质结的半导体功能层，以及与异质结匹配的源漏栅结构或源漏结构；氮化镓基半导体器件还包括二维电子气调节层；二维电子气调节层为SiGe混合层，0≤x≤1，设置在半导体功能层上，厚度为亚原子层厚度及以上厚度，至少用于降低异质结的表面电势，使得异质结中二维电子气的浓度升高，从而减小异质结中二维电子气的方阻。本发明通过在半导体功能层表面设置SiGe混合薄层，实现二维电子气方阻连续可调，且不会影响器件性能和工艺灵活性，可调控性更高。